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FET，MOSFET - 單個
PSMN102-200Y,115參考圖片

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PSMN102-200Y,115

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
21.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
102 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
30.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1568pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
113W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼
SC-100，SOT-669
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
暫無價格
參考庫存:6691310
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89
暫無價格
參考庫存:31312
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
暫無價格
參考庫存:11318
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
暫無價格
參考庫存:13820
FET，MOSFET - 單個
MV8 P INITIAL PROGRAM
暫無價格
參考庫存:8822
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