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FET,MOSFET - 單個
RQ3E180GNTB參考圖片

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RQ3E180GNTB

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
18A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
4.3 毫歐 @ 18A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
22.4nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1520pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-HSMT(3.2x3)
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
優勢價格,RQ3E180GNTB的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 5A 6DFN2020MD
暫無價格
參考庫存:33752
FET,MOSFET - 單個
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
暫無價格
參考庫存:16254
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
暫無價格
參考庫存:141264
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V LFPAK
暫無價格
參考庫存:26274
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
暫無價格
參考庫存:36345
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