圖片僅供參考, 請參閱產(chǎn)品規(guī)格
參數(shù) | 參數(shù)值 |
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包裝
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標(biāo)準(zhǔn)卷帶
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系列
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HEXFET?
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零件狀態(tài)
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有源
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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MOSFET(金屬氧化物)
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漏源電壓(Vdss)
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20V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
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10A(Ta),12A(Tc)
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驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
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2.5V,4.5V
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不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
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11.7 毫歐 @ 8.5A,4.5V
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不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
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1.1V @ 10μA
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不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
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14nC @ 4.5V
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Vgs(最大值)
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±12V
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不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
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1110pF @ 10V
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FET 功能
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-
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功率耗散(最大值)
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1.98W(Ta),9.6W(Tc)
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工作溫度
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應(yīng)商器件封裝
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6-PQFN(2x2)
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封裝/外殼
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6-PowerVDFN
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數(shù)據(jù)手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數(shù)量 |
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
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暫無價格
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參考庫存:38221
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
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暫無價格
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參考庫存:38229
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
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暫無價格
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參考庫存:38261
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 30V 59A
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暫無價格
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參考庫存:38269
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 80V DPAK
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暫無價格
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參考庫存:38285
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