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FET，MOSFET - 單個
IPN50R1K4CEATMA1參考圖片

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IPN50R1K4CEATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
CoolMOS? CE
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4.8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
13V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.4 歐姆 @ 900mA，13V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 70μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
8.2nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
178pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT223
封裝/外殼
SOT-223-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
暫無價格
參考庫存:26123
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
暫無價格
參考庫存:26131
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
暫無價格
參考庫存:26139
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
暫無價格
參考庫存:26147
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:26155
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