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FET，MOSFET - 單個
TSM1NB60CW RPG參考圖片

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TSM1NB60CW RPG

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
10 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
6.1nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
138pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
39W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-223
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
商品其它信息
優勢價格，TSM1NB60CW RPG的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
RJ1G08CGN IS A POWER MOSFET WITH
暫無價格
參考庫存:11956
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
暫無價格
參考庫存:136958
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
暫無價格
參考庫存:1201960
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
暫無價格
參考庫存:3982
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 150A TO-220
暫無價格
參考庫存:4149
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