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FET，MOSFET - 單個
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GA20JT12-263

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
-
技術
SiC（碳化硅結晶體管）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
45A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
60 毫歐 @ 20A
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3091pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
282W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（7-Lead）
封裝/外殼
TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
暫無價格
參考庫存:21472
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 40V 120A TO220
暫無價格
參考庫存:11810
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON
暫無價格
參考庫存:30536
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 12A POWER56
暫無價格
參考庫存:45467
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:45507
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