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FET,MOSFET - 單個
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GA20JT12-263

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
-
技術
SiC(碳化硅結晶體管)
漏源電壓(Vdss)
1200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
45A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
60 毫歐 @ 20A
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
-
Vgs(最大值)
-
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3091pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
282W(Tc)
工作溫度
175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK(7-Lead)
封裝/外殼
TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
暫無價格
參考庫存:21472
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N CH 40V 120A TO220
暫無價格
參考庫存:11810
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON
暫無價格
參考庫存:30536
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 12A POWER56
暫無價格
參考庫存:45467
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:45507
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