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FET，MOSFET - 單個
FCMT299N60參考圖片

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FCMT299N60

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
SuperFET? II
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
299 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1948pF @ 380V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
Power88
封裝/外殼
4-PowerTSFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
暫無價格
參考庫存:52019
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK
暫無價格
參考庫存:52027
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
暫無價格
參考庫存:52035
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
暫無價格
參考庫存:52043
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:52051
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