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FET,MOSFET - 單個
STB33N65M2參考圖片

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STB33N65M2

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
MDmesh? M2
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
24A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
140 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
41.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1790pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
190W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7
暫無價格
參考庫存:56883
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
暫無價格
參考庫存:56891
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
暫無價格
參考庫存:56915
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:56923
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V
暫無價格
參考庫存:56931
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