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FET，MOSFET - 單個
STW58N65DM2AG參考圖片

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STW58N65DM2AG

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
汽車級，AEC-Q101，MDmesh? DM2
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
48A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
65 毫歐 @ 24A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
88nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4100pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:35352
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
暫無價格
參考庫存:35360
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
暫無價格
參考庫存:35368
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 76A TO-263
暫無價格
參考庫存:35392
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
暫無價格
參考庫存:35400
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