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FET，MOSFET - 單個
STV200N55F3參考圖片

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STV200N55F3

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
STripFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
55V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.5 毫歐 @ 75A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
6800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
10-PowerSO
封裝/外殼
PowerSO-10 裸露底部焊盤
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
暫無價格
參考庫存:33920
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
暫無價格
參考庫存:33928
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 160A TO-220
暫無價格
參考庫存:33936
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
暫無價格
參考庫存:33944
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
暫無價格
參考庫存:33952
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