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FET，MOSFET - 單個
SCT50N120參考圖片

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SCT50N120

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
65A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
69 毫歐 @ 40A，20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
122nC @ 20V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1900pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
318W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
HiP247?
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
優勢價格，SCT50N120的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH TO263-7
暫無價格
參考庫存:40213
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
暫無價格
參考庫存:40221
FET，MOSFET - 單個
MOSFET_(75V 120V(
暫無價格
參考庫存:40229
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
暫無價格
參考庫存:40261
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
暫無價格
參考庫存:40269
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