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FET，MOSFET - 單個
IRFDC20PBF參考圖片

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IRFDC20PBF

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
320mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.4 歐姆 @ 190mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
18nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
350pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
暫無價格
參考庫存:45051
FET，MOSFET - 單個
T6 40V DPAK EXPANSION AND
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FET，MOSFET - 單個
MV8 P INITIAL PROGRAM
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參考庫存:45079
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