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FET,MOSFET - 單個
SIHH26N60E-T1-GE3參考圖片

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SIHH26N60E-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
25A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
135 毫歐 @ 13A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
116nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2815pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
202W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 8 x 8
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
優勢價格,SIHH26N60E-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
暫無價格
參考庫存:45524
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 31A TO-220F
暫無價格
參考庫存:45532
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
暫無價格
參考庫存:45540
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
暫無價格
參考庫存:45548
FET,MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
暫無價格
參考庫存:45556
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