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參數 | 參數值 |
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包裝
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標準卷帶
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系列
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UniFET-II?
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零件狀態
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有源
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FET 類型
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N 通道
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技術
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MOSFET(金屬氧化物)
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漏源電壓(Vdss)
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600V
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電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
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4A(Tc)
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驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
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10V
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不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
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2 歐姆 @ 2A,10V
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不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
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5V @ 250μA
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不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
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13nC @ 10V
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Vgs(最大值)
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±25V
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不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
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600pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散(最大值)
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83W(Tc)
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工作溫度
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應商器件封裝
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D-Pak
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封裝/外殼
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TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
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暫無價格
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參考庫存:51478
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 150V 10A DPAK
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暫無價格
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參考庫存:51486
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
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暫無價格
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參考庫存:51494
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
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暫無價格
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參考庫存:51502
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FET,MOSFET - 單個
|
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
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暫無價格
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參考庫存:51510
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