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FET，MOSFET - 單個
FDN306P參考圖片

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FDN306P

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
PowerTrench?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
40 毫歐 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
17nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1138pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SuperSOT-3
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
暫無價格
參考庫存:34073
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN
暫無價格
參考庫存:34081
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V DPAK
暫無價格
參考庫存:34097
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
暫無價格
參考庫存:34105
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 51A SMD DPAK
暫無價格
參考庫存:34113
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