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FET，MOSFET - 單個
IRLD110PBF參考圖片

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IRLD110PBF

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
540 毫歐 @ 600mA，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
6.1nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
250pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 22A TO-220
暫無價格
參考庫存:32687
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH W-PAK
暫無價格
參考庫存:32695
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
暫無價格
參考庫存:32703
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:32711
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
暫無價格
參考庫存:32727
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