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FET，MOSFET - 單個
SI7119DN-T1-GE3參考圖片

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SI7119DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3.8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.05 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
25nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
666pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），52W（Tc）
工作溫度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET
暫無價格
參考庫存:50615
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN
暫無價格
參考庫存:50623
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
暫無價格
參考庫存:4797
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V POWER56
暫無價格
參考庫存:64684
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
暫無價格
參考庫存:50645
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