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FET，MOSFET - 單個
SI4101DY-T1-GE3參考圖片

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SI4101DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
25.7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
6 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
203nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
8190pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:42790
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:42798
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
暫無價格
參考庫存:42830
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42846
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
暫無價格
參考庫存:42854
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