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FET,MOSFET - 單個
SIE810DF-T1-E3參考圖片

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SIE810DF-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
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參數(shù)參數(shù)值
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
60A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.4 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
300nC @ 10V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
13000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5.2W(Ta),125W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
10-PolarPAK?(L)
封裝/外殼
10-PolarPAK?(L)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SIE810DF-T1-E3的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:9464
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
暫無價格
參考庫存:9866
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
暫無價格
參考庫存:9148
FET,MOSFET - 單個
MOSFET 1000V 74A ULTRA JUNCTION
暫無價格
參考庫存:4940
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F
暫無價格
參考庫存:9217
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