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參數 | 參數值 |
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包裝
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管件
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系列
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汽車級,AEC-Q101
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零件狀態
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有源
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FET 類型
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N 通道
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技術
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SiCFET(碳化硅)
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漏源電壓(Vdss)
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650V
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電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
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21A(Tc)
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驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
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18V
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不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
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156 毫歐 @ 6.7A,18V
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不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
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5.6V @ 3.33mA
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不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
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38nC @ 18V
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Vgs(最大值)
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+22V,-4V
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不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
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460pF @ 500V
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FET 功能
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-
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功率耗散(最大值)
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103W
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工作溫度
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175°C(TJ)
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安裝類型
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通孔
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供應商器件封裝
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TO-247N
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封裝/外殼
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TO-247-3
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
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暫無價格
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參考庫存:42246
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
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暫無價格
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參考庫存:42254
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
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暫無價格
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參考庫存:42262
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
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暫無價格
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參考庫存:42278
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FET,MOSFET - 單個
|
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
|
暫無價格
|
參考庫存:42286
|
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