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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個(gè)
SIRA18BDP-T1-GE3參考圖片

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SIRA18BDP-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30-V PWRPAK SO-8
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
19A(Ta),40A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
6.83 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
19nC @ 10V
Vgs(最大值)
+20V,-16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
680pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),17W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
優(yōu)勢價(jià)格,SIRA18BDP-T1-GE3的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
暫無價(jià)格
參考庫存:7986
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
暫無價(jià)格
參考庫存:31566
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA
暫無價(jià)格
參考庫存:31574
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH
暫無價(jià)格
參考庫存:2854
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
暫無價(jià)格
參考庫存:31584
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