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FET,MOSFET - 單個
EPC8009參考圖片

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EPC8009

  • EPC
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  • GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss)
65V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
2.7A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
130 毫歐 @ 500mA,5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
.45nC @ 5V
Vgs(最大值)
+6V,-4V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
52pF @ 32.5V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
模具
封裝/外殼
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
暫無價格
參考庫存:6308
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:5948
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
暫無價格
參考庫存:8572
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:9767
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
暫無價格
參考庫存:41504
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