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FET，MOSFET - 單個
CSD19536KTT參考圖片

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CSD19536KTT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 200A TO263
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
NexFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.4 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
153nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
12000pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DDPAK/TO-263-3
封裝/外殼
TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
暫無價格
參考庫存:48756
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
暫無價格
參考庫存:48764
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
暫無價格
參考庫存:29294
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8
暫無價格
參考庫存:54296
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70
暫無價格
參考庫存:48776
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