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FET，MOSFET - 單個
R6006ANX參考圖片

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R6006ANX

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.2 歐姆 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
15nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
520pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FM
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
暫無價格
參考庫存:28847
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28855
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
暫無價格
參考庫存:28863
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:28871
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247
暫無價格
參考庫存:28879
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