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FET，MOSFET - 單個
EPC2019參考圖片

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EPC2019

  • EPC
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  • GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
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參數信息
參數參數值
包裝
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
50 毫歐 @ 7A、5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
2.5nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
270pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
模具
封裝/外殼
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
SUPERFET3 650V TO220 PKG
暫無價格
參考庫存:6335
FET，MOSFET - 單個
BUK6D125-60E/SOT1220/SOT1220
暫無價格
參考庫存:47672
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
暫無價格
參考庫存:26024
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
暫無價格
參考庫存:4701
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
暫無價格
參考庫存:17634
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