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FET，MOSFET - 單個
SI1427EDH-T1-GE3參考圖片

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SI1427EDH-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
64 毫歐 @ 3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
21nC @ 8V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W（Ta），2.8W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SC-70-6（SOT-363）
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:35204
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:35212
FET，MOSFET - 單個
MOSFET
暫無價格
參考庫存:35220
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:35236
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:35244
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