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FET，MOSFET - 單個
CSD19537Q3T參考圖片

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CSD19537Q3T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
NexFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
50A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
14.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.6V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
21nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1680pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta）, 83W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-VSON（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V W-PAK
暫無價格
參考庫存:40161
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 20A TO-252
暫無價格
參考庫存:40169
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:40177
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
暫無價格
參考庫存:40185
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
暫無價格
參考庫存:40193
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