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FET，MOSFET - 單個
SIE836DF-T1-E3參考圖片

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SIE836DF-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
18.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
130 毫歐 @ 4.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
41nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1200pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.2W（Ta），104W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
10-PolarPAK?（SH）
封裝/外殼
10-PolarPAK?（SH）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V SOT1220
暫無價格
參考庫存:41103
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON
暫無價格
參考庫存:41119
FET，MOSFET - 單個
CONSUMER
暫無價格
參考庫存:41127
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
暫無價格
參考庫存:41135
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
暫無價格
參考庫存:41143
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