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FET，MOSFET - 單個
EPC8002參考圖片

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EPC8002

  • EPC
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  • GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
65V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
530 毫歐 @ 500mA，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
2.5V @ 250μA
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
21pF @ 32.5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
模具
封裝/外殼
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220
暫無價格
參考庫存:56142
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
暫無價格
參考庫存:56150
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
暫無價格
參考庫存:56158
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F
暫無價格
參考庫存:56166
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
暫無價格
參考庫存:56174
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