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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個
EPC2035參考圖片

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EPC2035

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  • GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
eGaN?
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
1A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
45 毫歐 @ 1A,5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 800μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
1.15nC @ 5V
Vgs(最大值)
+6V,-4V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
115pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
模具
封裝/外殼
模具
商品其它信息
優(yōu)勢價格,EPC2035的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:39157
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
暫無價格
參考庫存:39181
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3
暫無價格
參考庫存:39189
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
暫無價格
參考庫存:39197
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
暫無價格
參考庫存:39205
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