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FET，MOSFET - 單個
IXFN180N25T參考圖片

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IXFN180N25T

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GigaMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
250V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
168A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
12.9 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
345nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
28000pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
900W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SOT-227B
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
商品其它信息
優勢價格，IXFN180N25T的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
LV POWER MOS
暫無價格
參考庫存:36267
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
暫無價格
參考庫存:36339
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP
暫無價格
參考庫存:36347
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH TO262-3
暫無價格
參考庫存:36355
FET，MOSFET - 單個
LOW POWER_LEGACY
暫無價格
參考庫存:36395
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