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FET，MOSFET - 單個
RW1E025RPT2CR參考圖片

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RW1E025RPT2CR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
75 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
5.2nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
480pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-WEMT
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
暫無價格
參考庫存:9759
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
暫無價格
參考庫存:13752
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
暫無價格
參考庫存:13754
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
暫無價格
參考庫存:15565
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
暫無價格
參考庫存:16274
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