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存儲器
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R1EX24512BSAS0I#S0

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
EEPROM
技術
EEPROM
存儲容量
512Kb （64K x 8）
存儲器接口
I2C
時鐘頻率
1MHz
寫周期時間 - 字，頁
5ms
訪問時間
550ns
電壓 - 電源
1.8V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝
8-SOP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
暫無價格
參考庫存:43900
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
暫無價格
參考庫存:43908
存儲器
DDR4 8G 512MX16 FBGA
暫無價格
參考庫存:43916
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA
暫無價格
參考庫存:43924
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
暫無價格
參考庫存:43932
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