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存儲器
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR參考圖片

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MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
閃存 - NAND
存儲容量
1.5Tb(192G x 8)
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
2.5V ~ 3.6V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
132-VBGA
供應商器件封裝
132-VBGA(12x18)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
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參考庫存:29640
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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
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