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存儲器
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參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術(shù)
SRAM - 異步
存儲容量
8Mb (512K x 16)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
8ns
訪問時間
8ns
電壓 - 電源
2.4V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
44-TSOP II
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IS61WV51216EDBLL-8TLI的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC DRAM 4G 1600MHZ
暫無價格
參考庫存:50298
存儲器
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
暫無價格
參考庫存:50306
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP
暫無價格
參考庫存:50314
存儲器
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
暫無價格
參考庫存:50322
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:50330
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