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BQ4014MB-85參考圖片

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BQ4014MB-85

  • Texas Instruments
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  • IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術(shù)
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
2Mb (256K x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
85ns
訪問時間
85ns
電壓 - 電源
4.75V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
32-DIP 模塊(0.61",15.49mm)
供應(yīng)商器件封裝
32-DIP 模塊(18.42x52.96)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,BQ4014MB-85的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC EPROM 1K 1WIRE 8SOIC
暫無價格
參考庫存:39372
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
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IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
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存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
暫無價格
參考庫存:39420
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