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DS1258Y-100

  • Maxim Integrated
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  • IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP
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參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術(shù)
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
2Mb (128K x 16)
存儲器接口
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
100ns
訪問時間
100ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
40-DIP 模塊(0.610",15.495mm)
供應商器件封裝
40-EDIP
商品其它信息
優(yōu)勢價格,DS1258Y-100的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
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圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC DRAM 1G PAR 1.875NS 134VFBGA
暫無價格
參考庫存:54268
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
暫無價格
參考庫存:54276
存儲器
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
暫無價格
參考庫存:54284
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
暫無價格
參考庫存:54300
存儲器
IC DRAM LPDDR4 4G FBGA
暫無價格
參考庫存:54308
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