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存儲器

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GS8182T18BGD-300I

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參數信息
參數參數值
包裝
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步，DDR II
存儲容量
18Mb （1M x 18）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
300MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-FPBGA（15x13）
商品其它信息
優勢價格，GS8182T18BGD-300I的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
參考庫存:25180
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC
暫無價格
參考庫存:25188
存儲器
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
暫無價格
參考庫存:25196
存儲器
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
暫無價格
參考庫存:25204
存儲器
IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON
暫無價格
參考庫存:25212
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