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存儲器

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NV25512MUW3VTBG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IC EEPROM SPI SER 512KB 8UDFN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q100
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
EEPROM
技術
EEPROM
存儲容量
512Kb （64K x 8）
存儲器接口
SPI
時鐘頻率
10MHz
寫周期時間 - 字，頁
5ms
訪問時間
45ns
電壓 - 電源
1.8V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-UFDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝
8-UDFN（2x3）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
暫無價格
參考庫存:34667
存儲器
IC SRAM 16K PARALLEL 64TQFP
暫無價格
參考庫存:34675
存儲器
IC FLASH SERIAL NOR 1G 16SOP
暫無價格
參考庫存:34683
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
暫無價格
參考庫存:34691
存儲器
IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
暫無價格
參考庫存:34699
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