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存儲器

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W632GG6NB-12 TR

  • Winbond Electronics
  • 最新
  • 2GB DDR3 SDRAM, X16, 800MHZ T&R
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR3
存儲容量
2Gb （128M x 16）
存儲器接口
SSTL_15
時鐘頻率
800MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
1.425V ~ 1.575V
工作溫度
0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
96-VFBGA
供應商器件封裝
96-VFBGA（7.5x13）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
暫無價格
參考庫存:25956
存儲器
IC PSRAM 64M PARALLEL 48VFBGA
暫無價格
參考庫存:25964
存儲器
IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
暫無價格
參考庫存:25972
存儲器
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:25980
存儲器
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
暫無價格
參考庫存:25988
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