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存儲器
CY14B116N-BZ25XI參考圖片

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CY14B116N-BZ25XI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
16Mb （1M x 16）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-FBGA（15x17）
商品其它信息
優勢價格，CY14B116N-BZ25XI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:41801
存儲器
IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC
暫無價格
參考庫存:41809
存儲器
IC EEPROM 256K PARALLEL 28TSOP
暫無價格
參考庫存:41817
存儲器
IC FLASH 2M SPI 5MHZ 28TSOP
暫無價格
參考庫存:41825
存儲器
IC FLASH 1M PARALLEL 40VSOP
暫無價格
參考庫存:41833
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