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存儲器
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CY14B116N-BZ25XI

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數(shù)據(jù)手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
16Mb (1M x 16)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-FBGA(15x17)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,CY14B116N-BZ25XI的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC EPROM 512K PARALLEL 28TSOP
暫無價格
參考庫存:37899
存儲器
IC EEPROM 16K SPI 3MHZ WAFER
暫無價格
參考庫存:37915
存儲器
IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:37923
存儲器
IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:37931
存儲器
IC FLASH 1M PARALLEL 32PLCC
暫無價格
參考庫存:37939
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