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存儲器
CY14B104N-BA20XC參考圖片

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CY14B104N-BA20XC

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
4Mb （256K x 16）
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字，頁
20ns
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商器件封裝
48-FBGA（6x10）
商品其它信息
優勢價格，CY14B104N-BA20XC的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
暫無價格
參考庫存:13253
存儲器
2G NAND SLC 24NM BGA
暫無價格
參考庫存:12714
存儲器
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
暫無價格
參考庫存:13230
存儲器
IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
暫無價格
參考庫存:16808
存儲器
IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA
暫無價格
參考庫存:13926
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