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存儲器
BR25H010FJ-WCE2參考圖片

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BR25H010FJ-WCE2

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • IC EEPROM 1K SPI 5MHZ 8SOPJ
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級,AEC-Q100
零件狀態
不適用於新設計
存儲器類型
非易失
存儲器格式
EEPROM
技術
EEPROM
存儲容量
1Kb (128 x 8)
存儲器接口
SPI
時鐘頻率
5MHz
寫周期時間 - 字,頁
5ms
訪問時間
5ms
電壓 - 電源
2.5V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝
8-SOP-J
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:26908
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
暫無價格
參考庫存:26916
存儲器
IC NVSRAM 1M PARALLEL 256BGA
暫無價格
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存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
暫無價格
參考庫存:26940
存儲器
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP
暫無價格
參考庫存:26948
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