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存儲器
DS1250Y-100IND+參考圖片

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DS1250Y-100IND+

  • Maxim Integrated
  • 最新
  • IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
4Mb （512K x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
100ns
訪問時間
100ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應商器件封裝
32-EDIP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP
暫無價格
參考庫存:55229
存儲器
IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA
暫無價格
參考庫存:55237
存儲器
IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA
暫無價格
參考庫存:55245
存儲器
IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA
暫無價格
參考庫存:55255
存儲器
IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
參考庫存:55263
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