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存儲器
CY14B104L-BA45XI參考圖片

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CY14B104L-BA45XI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
4Mb (512K x 8)
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字,頁
45ns
訪問時間
45ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商器件封裝
48-FBGA(6x10)
商品其它信息
優勢價格,CY14B104L-BA45XI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 2M PARALLEL 32TSOP
暫無價格
參考庫存:51145
存儲器
IC FLASH 8M SPI 10MHZ 28TSOP
暫無價格
參考庫存:51153
存儲器
IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:51161
存儲器
IC EPROM 4M PARALLEL 44PLCC
暫無價格
參考庫存:51169
存儲器
IC FLASH 2M PARALLEL 32TSOP
暫無價格
參考庫存:51177
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