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存儲器
BR25L080FVT-WE2參考圖片

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BR25L080FVT-WE2

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8TSSOP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
存儲器類型
非易失
存儲器格式
EEPROM
技術
EEPROM
存儲容量
8Kb （1K x 8）
存儲器接口
SPI
時鐘頻率
5MHz
寫周期時間 - 字，頁
5ms
訪問時間
5ms
電壓 - 電源
1.8V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝
8-TSSOP-B
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
參考庫存:27076
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:27084
存儲器
IC EEPROM 16K I2C 1MHZ SOT23-5
暫無價格
參考庫存:27092
存儲器
IC FRAM 4K SPI 10MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:27100
存儲器
IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA
暫無價格
參考庫存:27108
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