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TC58NYG2S0HBAI6

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術(shù)
FLASH - NAND(SLC)
存儲容量
4Gb (512M x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
67-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝
67-VFBGA(6.5x8)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,TC58NYG2S0HBAI6的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC EEPROM 128K SPI 20MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:32991
存儲器
IC EEPROM 256K SPI 10MHZ WAFER
暫無價格
參考庫存:33007
存儲器
IC EEPROM 4K SPI 3MHZ WAFER
暫無價格
參考庫存:33015
存儲器
IC EEPROM 1K I2C 400KHZ WAFER
暫無價格
參考庫存:33023
存儲器
IC EEPROM 1M PARALLEL 32DIP
暫無價格
參考庫存:33031
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