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存儲器
BR25A512FJ-3MGE2參考圖片

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BR25A512FJ-3MGE2

  • Rohm Semiconductor
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包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
EEPROM
技術(shù)
EEPROM
存儲容量
512Kb (64K x 8)
存儲器接口
SPI
時(shí)鐘頻率
10MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁
5ms
電壓 - 電源
2.5V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
8-SOP-J
商品其它信息
優(yōu)勢價(jià)格,BR25A512FJ-3MGE2的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
暫無價(jià)格
參考庫存:43751
存儲器
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
暫無價(jià)格
參考庫存:43759
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
暫無價(jià)格
參考庫存:12579
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA
暫無價(jià)格
參考庫存:43769
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
暫無價(jià)格
參考庫存:43777
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