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HYB25D512800CE-6

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  • IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態(tài)
Digi-Key 停產(chǎn)
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術(shù)
SDRAM - DDR
存儲容量
512Mb (64M x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
166MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
2.3V ~ 2.7V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
66-TSSOP(0.400",10.16mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
66-TSOP II
商品其它信息
優(yōu)勢價格,HYB25D512800CE-6的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC EEPROM 128K SPI 20MHZ 8SOIC
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存儲器
IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOIC
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IC EPROM 512K PARALLEL 28SOIC
暫無價格
參考庫存:40337
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