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存儲器
HYB25D512800CE-6參考圖片

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HYB25D512800CE-6

  • Qimonda
  • 最新
  • IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
Digi-Key 停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR
存儲容量
512Mb （64M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
166MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
2.3V ~ 2.7V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
66-TSSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應商器件封裝
66-TSOP II
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
暫無價格
參考庫存:32728
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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
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參考庫存:32760
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