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雙極性晶體管（BJT）- 單個
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2SB08730R

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
5A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
20V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值）
1V @ 100mA，3A
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
180 @ 2A，2V
功率 - 最大值
1W
頻率 - 躍遷
120MHz
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-226-3，TO-92-3 長體
供應商器件封裝
TO-92L-A1
商品其它信息
優勢價格，2SB08730R的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS PNP 70V 0.5A TO-92
暫無價格
參考庫存:54396
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
暫無價格
參考庫存:54404
雙極性晶體管（BJT）- 單個
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
暫無價格
參考庫存:54436
雙極性晶體管（BJT）- 單個
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
暫無價格
參考庫存:54444
雙極性晶體管（BJT）- 單個
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
暫無價格
參考庫存:54468
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